Diferença entre IGBT e MOSFET

IGBT vs MOSFET

MOSFET (transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal) e IGBT (transistor bipolar de porta isolada) são dois tipos de transistores, e ambos pertencem à categoria controlada por portão. Ambos os dispositivos têm estruturas de aparência semelhantes com diferentes tipos de camadas semicondutoras.

Transistor de efeito de campo semicondutor de óxido de metal (MOSFET)

MOSFET é um tipo de Transistor de efeito de campo (FET), que é composto de três terminais conhecidos como 'Gate', 'Source' e 'Drain'. Aqui, a corrente de drenagem é controlada pela tensão do portão. Portanto, MOSFETs são dispositivos controlados por tensão.

Os MOSFETs estão disponíveis em quatro tipos diferentes, como o canal n ou o canal p, com modo de depleção ou aprimoramento. O dreno e a fonte são feitos de semicondutores de tipo n para MOSFET de canal n e, de forma semelhante, para dispositivos de canal p. O portão é feito de metal e separado da fonte e do dreno usando um óxido metálico. Este isolamento causa baixo consumo de energia, e é uma vantagem no MOSFET. Portanto, o MOSFET é usado na lógica CMOS digital, onde os MOSFETs de canal p e n são usados ​​como blocos de construção para minimizar o consumo de energia.

Embora o conceito de MOSFET tenha sido proposto muito cedo (em 1925), foi praticamente implementado em 1959 nos laboratórios Bell.

Transistor Bipolar de Porta Isolada (IGBT)

O IGBT é um dispositivo semicondutor com três terminais conhecidos como "Emissor", "Coletor" e "Portão". É um tipo de transistor, que pode lidar com uma maior quantidade de energia, e tem uma maior velocidade de comutação, tornando-o eficiente. O IGBT foi introduzido no mercado nos anos 80.

O IGBT possui os recursos combinados do MOSFET e do transistor de junção bipolar (BJT). É portado como MOSFET e possui características de tensão atuais como BJTs. Portanto, tem as vantagens de capacidade de gerenciamento de alta corrente e facilidade de controle. Os módulos IGBT (consiste em vários dispositivos) podem lidar com quilowatts de energia.

Diferença entre IGBT e MOSFET 1. Embora ambos os IGBT e MOSFET sejam dispositivos controlados por tensão, o IGBT possui características de condução BJT. 2. Os terminais do IGBT são conhecidos como emissor, coletor e portão, enquanto o MOSFET é feito de portão, fonte e dreno. 3. Os IGBTs são melhores no gerenciamento de energia do que MOSFETS 4. O IGBT possui uniões PN e MOSFETs não possui. 5. O IGBT tem uma queda de tensão direta mais baixa em relação ao MOSFET 6. MOSFET tem uma longa história em comparação com IGBT