Diferença entre difusão e implantação de íons | Ion Implantation vs Diffusion

Difusão vs Implante iónico < Diferença entre difusão e implantação iónica pode ser entendida uma vez que você entende o que é a implantação de radiação e iões. Em primeiro lugar, deve-se mencionar que a difusão e implantação de íons são dois termos relacionados aos semicondutores. São as técnicas utilizadas para introduzir átomos dopantes em semicondutores. Este artigo trata sobre os dois processos, suas principais diferenças, vantagens e desvantagens.

O que é Diffusion?

A difusão é uma das principais técnicas utilizadas para introduzir impurezas em semicondutores. Este método considera o movimento de dopante em escala atômica e, basicamente, o processo ocorre como resultado do gradiente de concentração. O processo de difusão é realizado em sistemas denominados "

fornos de difusão ". É bastante caro e muito preciso. Existem

três fontes principais de dopants : gaseosas, líquidas e sólidas e fontes gasosas são as mais utilizadas nesta técnica (Fontes confiáveis ​​e convenientes: BF < 3 , PH ₃ , AsH ₃ ). Neste processo, o gás fonte reage com oxigênio na superfície da bolacha, resultando em um óxido dopante. Em seguida, ele difunde em Silicon, formando uma concentração uniforme de dopante em toda a superfície. _{Fontes líquidas} estão disponíveis em duas formas: bubblers e spin em dopant. Bubblers converte o líquido em um vapor para reagir com oxigênio e depois para formar um óxido dopante na superfície da bolacha. Spin on dopants são soluções de camadas secas de camada de SiO 2 . _{Fontes sólidas} incluem duas formas: forma de comprimido ou granular e forma de disco ou bolacha. Os discos de nitruro de boro (BN) são fontes sólidas mais comumente usadas que podem ser oxidadas a 750 - 1100 0 C.

Difusão simples de uma substância (azul) devido a um gradiente de concentração em uma membrana semi-permeável (rosa).

O que é Ion Implantation?

A implantação de íons é outra técnica de introdução de impurezas (dopantes) para semicondutores. É uma técnica de baixa temperatura. Isto é considerado uma alternativa à difusão de alta temperatura para a introdução de dopantes. Neste processo, um feixe de íons altamente energéticos é direcionado ao semicondutor alvo. As colisões dos íons com os átomos da rede resultam na distorção da estrutura cristalina. O próximo passo é o recozimento, que é seguido para corrigir o problema de distorção.

Algumas vantagens da técnica de implantação iónica incluem controle preciso do perfil de profundidade e dosagem, menos sensíveis aos procedimentos de limpeza da superfície e possui uma ampla seleção de materiais de máscara, tais como fotoresist, poly-Si, óxidos, e metal.

Qual a diferença entre Diffusion e Ion Implantation?

• Na difusão, as partículas são espalhadas pelo movimento aleatório de regiões de maior concentração para regiões de menor concentração. A implantação de íons envolve o bombardeamento do substrato com íons, acelerando a velocidades mais elevadas.

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Vantagens:

A difusão não cria danos e a fabricação do lote também é possível. A implantação de íons é um processo de baixa temperatura. Permite controlar a dose precisa e a profundidade. A implantação de íons também é possível através das finas camadas de óxidos e nitretos. Também inclui curtos tempos de processo. • Desvantagens:

A difusão é limitada à solubilidade sólida e é um processo de alta temperatura. Junções pouco profundas e baixas doses são difíceis do processo de difusão. A implantação de íons envolve um custo adicional para o processo de recozimento. • A difusão possui um perfil de dopante isotrópico, enquanto a implantação de íons possui um perfil de dopante anisotrópico. Resumo:

Ion Implantation vs Diffusion

A difusão e implantação de íons são dois métodos de introdução de impurezas para semicondutores (Silicon-Si) para controlar o tipo maioritário do transportador e a resistividade das camadas. Na difusão, os átomos dopantes se movem da superfície para o Silício por meio do gradiente de concentração. É através de mecanismos de difusão substitutivos ou intersticiais. Na implantação de íons, átomos dopantes são adicionados vigorosamente ao Silício, injetando um feixe de íons energético. A difusão é um processo de alta temperatura, enquanto a implantação de íons é um processo de baixa temperatura. A concentração de dopante e a profundidade da junção podem ser controladas na implantação de íons, mas não podem ser controladas no processo de difusão. A difusão possui um perfil de dopante isotrópico, enquanto que a implantação de íons possui um perfil dopante anisotrópico.

Imagens Cortesia:

Difusão simples de uma substância (azul) devido a um gradiente de concentração através de uma membrana semi-permeável (rosa) por Elizabeth2424 (CC BY-SA 3. 0)