Diferença entre BJT e IGBT

BJT vs IGBT

BJT (Bipolar Junction Transistor) e IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) são dois tipos de transistores usados ​​para controlar correntes. Ambos os dispositivos possuem junções PN e diferentes na estrutura do dispositivo. Embora ambos sejam transistores, eles apresentam diferenças significativas nas características.

BJT (Transistor de junção bipolar)

BJT é um tipo de transistor que consiste em duas junções PN (uma junção feita conectando um semicondutor de tipo p e semicondutor de tipo n). Estas duas junções são formadas usando a conexão de três peças semicondutoras na ordem de P-N-P ou N-P-N. Portanto, dois tipos de BJTs, conhecidos como PNP e NPN, estão disponíveis.

Três eletrodos estão conectados a estas três peças semicondutoras e o fio intermediário é chamado de "base". Outras duas junções são "emissoras" e "coletoras".

Na corrente BJT, o grande coletor emissor (I _c ) é controlado pela corrente de emissor de base pequena (I _B ) e esta propriedade é explorada para projetar amplificadores ou switches. Portanto, ele pode ser considerado como um dispositivo atualizado. BJT é usado principalmente em circuitos amplificadores.

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

IGBT é um dispositivo semicondutor com três terminais conhecidos como 'Emitente', 'Coletor' e 'Portão'. É um tipo de transistor, que pode lidar com uma maior quantidade de energia e tem uma maior velocidade de comutação, tornando-o eficiente. O IGBT foi introduzido no mercado nos anos 80.

O IGBT possui os recursos combinados do MOSFET e do transistor de junção bipolar (BJT). É portão conduzido como MOSFET e tem características de tensão atuais como BJTs. Portanto, tem as vantagens de capacidade de gerenciamento de alta corrente e facilidade de controle. Os módulos IGBT (consiste em vários dispositivos) suportam kilowatts de energia.

Diferença entre BJT e IGBT 1. BJT é um dispositivo accionado de corrente, enquanto o IGBT é conduzido pela tensão da porta 2. Os terminais do IGBT são conhecidos como emissor, coletor e portão, enquanto o BJT é feito de emissor, coletor e base. 3. Os IGBTs são melhores no gerenciamento de energia do que o BJT 4. O IGBT pode ser considerado como uma combinação de BJT e FET (Field Effect Transistor) 5. O IGBT possui uma estrutura de dispositivo complexa em comparação com o BJT 6. BJT tem uma longa história em comparação com IGBT